| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSU5N65M |
| EBEE 부품 번호 | E8475511 |
| 패키지 | TO-251 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V 3A 58W 3.27Ω@10V,1.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2438 | $ 1.2190 |
| 50+ | $0.1999 | $ 9.9950 |
| 160+ | $0.1624 | $ 25.9840 |
| 480+ | $0.1388 | $ 66.6240 |
| 2480+ | $0.1283 | $ 318.1840 |
| 4000+ | $0.1221 | $ 488.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSU5N65M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.27Ω@10V,1.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 58W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 7pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 560pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 16nC@480V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2438 | $ 1.2190 |
| 50+ | $0.1999 | $ 9.9950 |
| 160+ | $0.1624 | $ 25.9840 |
| 480+ | $0.1388 | $ 66.6240 |
| 2480+ | $0.1283 | $ 318.1840 |
| 4000+ | $0.1221 | $ 488.4000 |
