| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSP630M |
| EBEE 부품 번호 | E83647134 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 200V 9.5A 72W 0.4Ω@10V,4.75A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2648 | $ 1.3240 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1826 | $ 27.3900 |
| 500+ | $0.1562 | $ 78.1000 |
| 2000+ | $0.1443 | $ 288.6000 |
| 5000+ | $0.1373 | $ 686.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSP630M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 9.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.4Ω@10V,4.75A | |
| 전력 손실(Pd) | 72W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 40pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 400pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2648 | $ 1.3240 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1826 | $ 27.3900 |
| 500+ | $0.1562 | $ 78.1000 |
| 2000+ | $0.1443 | $ 288.6000 |
| 5000+ | $0.1373 | $ 686.5000 |
