| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSP50N20M |
| EBEE 부품 번호 | E83647137 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 200V 50A 0.046Ω@10V,50A 250W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0656 | $ 1.0656 |
| 10+ | $0.9787 | $ 9.7870 |
| 50+ | $0.6633 | $ 33.1650 |
| 100+ | $0.6199 | $ 61.9900 |
| 500+ | $0.5944 | $ 297.2000 |
| 1000+ | $0.5799 | $ 579.9000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSP50N20M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 50A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.046Ω@10V,50A | |
| 전력 손실(Pd) | 250W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 280pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 4.01nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 244nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0656 | $ 1.0656 |
| 10+ | $0.9787 | $ 9.7870 |
| 50+ | $0.6633 | $ 33.1650 |
| 100+ | $0.6199 | $ 61.9900 |
| 500+ | $0.5944 | $ 297.2000 |
| 1000+ | $0.5799 | $ 579.9000 |
