| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSP18N20M |
| EBEE 부품 번호 | E85199870 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 200V 18A 35W 0.17Ω@10V,9A 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3317 | $ 0.3317 |
| 10+ | $0.2924 | $ 2.9240 |
| 50+ | $0.2532 | $ 12.6600 |
| 100+ | $0.2318 | $ 23.1800 |
| 500+ | $0.2229 | $ 111.4500 |
| 1000+ | $0.2176 | $ 217.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSP18N20M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 18A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.17Ω@10V,9A | |
| 전력 손실(Pd) | 35W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 55pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 965pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 28nC@160V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3317 | $ 0.3317 |
| 10+ | $0.2924 | $ 2.9240 |
| 50+ | $0.2532 | $ 12.6600 |
| 100+ | $0.2318 | $ 23.1800 |
| 500+ | $0.2229 | $ 111.4500 |
| 1000+ | $0.2176 | $ 217.6000 |
