| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSK82N30M |
| EBEE 부품 번호 | E82935821 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 300V 82A 610W 46mΩ@10V,40A 3V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0647 | $ 4.0647 |
| 10+ | $3.9270 | $ 39.2700 |
| 30+ | $2.4954 | $ 74.8620 |
| 100+ | $2.4120 | $ 241.2000 |
| 500+ | $2.3739 | $ 1186.9500 |
| 1000+ | $2.3576 | $ 2357.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSK82N30M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 82A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 46mΩ@10V,40A | |
| 전력 손실(Pd) | 610W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 67pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 6.904nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 123nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0647 | $ 4.0647 |
| 10+ | $3.9270 | $ 39.2700 |
| 30+ | $2.4954 | $ 74.8620 |
| 100+ | $2.4120 | $ 241.2000 |
| 500+ | $2.3739 | $ 1186.9500 |
| 1000+ | $2.3576 | $ 2357.6000 |
