| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSD5N60M |
| EBEE 부품 번호 | E8382368 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | 600V 4.5A 2.5Ω@10V,2.25A 48W 5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2317 | $ 1.1585 |
| 50+ | $0.1876 | $ 9.3800 |
| 150+ | $0.1686 | $ 25.2900 |
| 500+ | $0.1450 | $ 72.5000 |
| 2500+ | $0.1178 | $ 294.5000 |
| 5000+ | $0.1114 | $ 557.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSD5N60M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,2.25A | |
| 전력 손실(Pd) | 48W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 7pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 560pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2317 | $ 1.1585 |
| 50+ | $0.1876 | $ 9.3800 |
| 150+ | $0.1686 | $ 25.2900 |
| 500+ | $0.1450 | $ 72.5000 |
| 2500+ | $0.1178 | $ 294.5000 |
| 5000+ | $0.1114 | $ 557.0000 |
