| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSA9N90M |
| EBEE 부품 번호 | E8382384 |
| 패키지 | TO-3P-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 900V 9A 1.4Ω@10V,4.5A 130W 5V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2088 | $ 1.2088 |
| 10+ | $1.1091 | $ 11.0910 |
| 30+ | $0.8591 | $ 25.7730 |
| 100+ | $0.7974 | $ 79.7400 |
| 500+ | $0.7703 | $ 385.1500 |
| 1000+ | $0.7575 | $ 757.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSA9N90M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 9A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@10V,4.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 130W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 14pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.6nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 52nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2088 | $ 1.2088 |
| 10+ | $1.1091 | $ 11.0910 |
| 30+ | $0.8591 | $ 25.7730 |
| 100+ | $0.7974 | $ 79.7400 |
| 500+ | $0.7703 | $ 385.1500 |
| 1000+ | $0.7575 | $ 757.5000 |
