| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSA50N20M |
| EBEE 부품 번호 | E83647138 |
| 패키지 | TO-3P |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 200V 50A 0.046Ω@10V,50A 300W 4V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8903 | $ 0.8903 |
| 10+ | $0.7998 | $ 7.9980 |
| 30+ | $0.7510 | $ 22.5300 |
| 90+ | $0.6949 | $ 62.5410 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSA50N20M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 50A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.046Ω@10V,50A | |
| 전력 손실(Pd) | 300W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 280pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 4.01nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 244nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8903 | $ 0.8903 |
| 10+ | $0.7998 | $ 7.9980 |
| 30+ | $0.7510 | $ 22.5300 |
| 90+ | $0.6949 | $ 62.5410 |
