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Truesemi TSA50N20M


제조사
제조사 부품 번호
TSA50N20M
EBEE 부품 번호
E83647138
패키지
TO-3P
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
200V 50A 0.046Ω@10V,50A 300W 4V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.8903$ 0.8903
10+$0.7998$ 7.9980
30+$0.7510$ 22.5300
90+$0.6949$ 62.5410
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트Truesemi TSA50N20M
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형1 N-channel
구성-
드레인 소스 전압(Vdss)200V
연속 드레인 전류(Id)50A
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)0.046Ω@10V,50A
전력 손실(Pd)300W
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)4V@250uA
역전송 용량(Crss@Vds)280pF@25V
입력 커패시턴스(Ciss@Vds)4.01nF@25V
총 게이트 요금(Qg@Vgs)244nC@10V

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