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Truesemi TSA40N20M
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TSA40N20M |
| EBEE 부품 번호 | E83647135 |
| 패키지 | TO-3P |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 200V 40A 260W 65mΩ@10V,20A 2V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8156 | $ 0.8156 |
| 10+ | $0.7339 | $ 7.3390 |
| 30+ | $0.6886 | $ 20.6580 |
| 90+ | $0.6361 | $ 57.2490 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Truesemi TSA40N20M | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 40A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 260W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 50pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2684pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 62nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8156 | $ 0.8156 |
| 10+ | $0.7339 | $ 7.3390 |
| 30+ | $0.6886 | $ 20.6580 |
| 90+ | $0.6361 | $ 57.2490 |
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