RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2335 | $ 2.2335 |
| 200+ | $0.8643 | $ 172.8600 |
| 500+ | $0.8351 | $ 417.5500 |
| 1000+ | $0.8187 | $ 818.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 100A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.2mΩ@10V,60A | |
| 전력 손실(Pd) | 188W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.73nF@40V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 36nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2335 | $ 2.2335 |
| 200+ | $0.8643 | $ 172.8600 |
| 500+ | $0.8351 | $ 417.5500 |
| 1000+ | $0.8187 | $ 818.7000 |
