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Texas Instruments CSD13306WT
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CSD13306WT |
| EBEE 부품 번호 | E82861410 |
| 패키지 | DSBGA-6 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 12V 3.5A 1.9W 8.8mΩ@4.5V,1.5A 1V@250uA 1 N-channel DSBGA-6 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4131 | $ 1.4131 |
| 250+ | $0.5471 | $ 136.7750 |
| 500+ | $0.5288 | $ 264.4000 |
| 1000+ | $0.5178 | $ 517.8000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | TI CSD13306WT | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.8mΩ@4.5V,1.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 1.9W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 294pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.37nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | [email protected] |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4131 | $ 1.4131 |
| 250+ | $0.5471 | $ 136.7750 |
| 500+ | $0.5288 | $ 264.4000 |
| 1000+ | $0.5178 | $ 517.8000 |
