Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가

TECH PUBLIC TPM2008EP3-A


제조사
제조사 부품 번호
TPM2008EP3-A
EBEE 부품 번호
E82827633
패키지
DFN1006-3L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
20V 700mA 130mΩ@4.5V,650mA 100mW 750mV@250uA 1 N-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>
30160 재고 있음 바로 배송 가능
30160 바로 배송 가능
1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
20+$0.0346$ 0.6920
200+$0.0276$ 5.5200
600+$0.0238$ 14.2800
2000+$0.0215$ 43.0000
10000+$0.0174$ 174.0000
20000+$0.0163$ 326.0000
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트TECH PUBLIC TPM2008EP3-A
RoHS
유형N-Channel
RDS(켜짐)370mΩ@25V
작동 온도 --
역전송 용량(Crss@Vds)15pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation100mW
Drain to Source Voltage20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.1V
Current - Continuous Drain(Id)700mA
Ciss-Input Capacitance120pF
Output Capacitance(Coss)20pF
Gate Charge(Qg)-

쇼핑 가이드

펼치기