| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STY112N65M5 |
| EBEE 부품 번호 | E82965377 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 96A 19mΩ@10V,48A 625W 2.1V@250uA TO-247-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $106.6637 | $ 106.6637 |
| 200+ | $41.2773 | $ 8255.4600 |
| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STY112N65M5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 96A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@10V,48A | |
| 전력 손실(Pd) | 625W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 7pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 16870pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 350nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $106.6637 | $ 106.6637 |
| 200+ | $41.2773 | $ 8255.4600 |
| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
