| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STW35N60DM2 |
| EBEE 부품 번호 | E8222367 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 28A 0.11Ω@10V,14A 210W 4V@250uA 1 N-channel TO-247AC-3 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3708 | $ 5.3708 |
| 10+ | $4.5743 | $ 45.7430 |
| 30+ | $4.1003 | $ 123.0090 |
| 100+ | $3.6217 | $ 362.1700 |
| 500+ | $3.4010 | $ 1700.5000 |
| 1000+ | $3.3006 | $ 3300.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STW35N60DM2 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 110mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 2.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3708 | $ 5.3708 |
| 10+ | $4.5743 | $ 45.7430 |
| 30+ | $4.1003 | $ 123.0090 |
| 100+ | $3.6217 | $ 362.1700 |
| 500+ | $3.4010 | $ 1700.5000 |
| 1000+ | $3.3006 | $ 3300.6000 |
