| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STU9N65M2 |
| EBEE 부품 번호 | E87021450 |
| 패키지 | TO-251(IPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 5A 900mΩ@10V,2.5A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0408 | $ 2.0408 |
| 225+ | $0.8142 | $ 183.1950 |
| 525+ | $0.7868 | $ 413.0700 |
| 975+ | $0.7740 | $ 754.6500 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STU9N65M2 | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 900mΩ@10V,2.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 60W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 315pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 10nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0408 | $ 2.0408 |
| 225+ | $0.8142 | $ 183.1950 |
| 525+ | $0.7868 | $ 413.0700 |
| 975+ | $0.7740 | $ 754.6500 |
