| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STU4N80K5 |
| EBEE 부품 번호 | E8495250 |
| 패키지 | IPAK(TO-251) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 3A 2.1Ω@10V,1.5A 60W 3V@100uA 1 N-channel IPAK(TO-251) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2603 | $ 1.2603 |
| 10+ | $1.2372 | $ 12.3720 |
| 30+ | $1.2213 | $ 36.6390 |
| 100+ | $1.2053 | $ 120.5300 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STU4N80K5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1Ω@10V,1.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 60W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 0.5pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 175pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 10.5nC@640V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2603 | $ 1.2603 |
| 10+ | $1.2372 | $ 12.3720 |
| 30+ | $1.2213 | $ 36.6390 |
| 100+ | $1.2053 | $ 120.5300 |
