| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STU16N60M2 |
| EBEE 부품 번호 | E8501067 |
| 패키지 | TO-251(IPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 12A 0.32Ω@10V,6A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7740 | $ 0.7740 |
| 10+ | $0.7580 | $ 7.5800 |
| 30+ | $0.7474 | $ 22.4220 |
| 100+ | $0.7367 | $ 73.6700 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STU16N60M2 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 12A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.32Ω@10V,6A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1.2pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 700pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 19nC@480V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7740 | $ 0.7740 |
| 10+ | $0.7580 | $ 7.5800 |
| 30+ | $0.7474 | $ 22.4220 |
| 100+ | $0.7367 | $ 73.6700 |
