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STMicroelectronics STP6N60M2
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STP6N60M2 |
| EBEE 부품 번호 | E8501046 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 4.5A 1.2Ω@10V,2.25A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2710 | $ 1.2710 |
| 10+ | $1.0828 | $ 10.8280 |
| 50+ | $0.9798 | $ 48.9900 |
| 100+ | $0.8627 | $ 86.2700 |
| 500+ | $0.8112 | $ 405.6000 |
| 1200+ | $0.7882 | $ 945.8400 |
| 1800+ | $0.7792 | $ 1402.5600 |
| 4200+ | $0.7722 | $ 3243.2400 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STP6N60M2 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 4.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,2.25A | |
| 전력 손실(Pd) | 60W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 0.7pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 232pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 8nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2710 | $ 1.2710 |
| 10+ | $1.0828 | $ 10.8280 |
| 50+ | $0.9798 | $ 48.9900 |
| 100+ | $0.8627 | $ 86.2700 |
| 500+ | $0.8112 | $ 405.6000 |
| 1200+ | $0.7882 | $ 945.8400 |
| 1800+ | $0.7792 | $ 1402.5600 |
| 4200+ | $0.7722 | $ 3243.2400 |
