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STMicroelectronics STP4LN80K5
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STP4LN80K5 |
| EBEE 부품 번호 | E8501040 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 3A 2.6Ω@10V,1A 60W 3V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6018 | $ 0.6018 |
| 10+ | $0.4899 | $ 4.8990 |
| 50+ | $0.4421 | $ 22.1050 |
| 100+ | $0.3817 | $ 38.1700 |
| 500+ | $0.3550 | $ 177.5000 |
| 1000+ | $0.3391 | $ 339.1000 |
| 2000+ | $0.3356 | $ 671.2000 |
| 4000+ | $0.3337 | $ 1334.8000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STP4LN80K5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6Ω@10V,1A | |
| 전력 손실(Pd) | 60W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 0.3pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 122pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 3.7nC@640V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6018 | $ 0.6018 |
| 10+ | $0.4899 | $ 4.8990 |
| 50+ | $0.4421 | $ 22.1050 |
| 100+ | $0.3817 | $ 38.1700 |
| 500+ | $0.3550 | $ 177.5000 |
| 1000+ | $0.3391 | $ 339.1000 |
| 2000+ | $0.3356 | $ 671.2000 |
| 4000+ | $0.3337 | $ 1334.8000 |
