| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STP40N65M2 |
| EBEE 부품 번호 | E8501037 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 32A 0.099Ω@10V,16A 250W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5774 | $ 2.5774 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.4886 | $ 74.6580 |
| 100+ | $2.4531 | $ 245.3100 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STP40N65M2 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 32A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.099Ω@10V,16A | |
| 전력 손실(Pd) | 250W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 2.7pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.355nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 56.5nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5774 | $ 2.5774 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.4886 | $ 74.6580 |
| 100+ | $2.4531 | $ 245.3100 |
