| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STP34N65M5 |
| EBEE 부품 번호 | E8501034 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 28A 90mΩ@10V,14A 190W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0903 | $ 3.0903 |
| 10+ | $3.0265 | $ 30.2650 |
| 30+ | $2.9838 | $ 89.5140 |
| 100+ | $2.9412 | $ 294.1200 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STP34N65M5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | - | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 28A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V,14A | |
| 전력 손실(Pd) | 190W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 6.3pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.7nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 62.5nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0903 | $ 3.0903 |
| 10+ | $3.0265 | $ 30.2650 |
| 30+ | $2.9838 | $ 89.5140 |
| 100+ | $2.9412 | $ 294.1200 |
