| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STP11NM60FDFP |
| EBEE 부품 번호 | E8501023 |
| 패키지 | TO-220FPAB-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 11A 160W 0.45Ω@10V,5.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220FPAB-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1812 | $ 5.1812 |
| 10+ | $5.0783 | $ 50.7830 |
| 30+ | $5.0109 | $ 150.3270 |
| 100+ | $4.9434 | $ 494.3400 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STP11NM60FDFP | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 11A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.45Ω@10V,5.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 160W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 35pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 900pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 40nC@400V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1812 | $ 5.1812 |
| 10+ | $5.0783 | $ 50.7830 |
| 30+ | $5.0109 | $ 150.3270 |
| 100+ | $4.9434 | $ 494.3400 |
