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STMicroelectronics STP10NM60N
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STP10NM60N |
| EBEE 부품 번호 | E85931917 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 10A 70W 550mΩ@10V,4A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1382 | $ 4.1382 |
| 200+ | $1.6520 | $ 330.4000 |
| 500+ | $1.5954 | $ 797.7000 |
| 1000+ | $1.5699 | $ 1569.9000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STP10NM60N | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 10A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 70W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 540pF@50V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 19nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1382 | $ 4.1382 |
| 200+ | $1.6520 | $ 330.4000 |
| 500+ | $1.5954 | $ 797.7000 |
| 1000+ | $1.5699 | $ 1569.9000 |
