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STMicroelectronics STP10LN80K5
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STP10LN80K5 |
| EBEE 부품 번호 | E8157428 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 5V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5021 | $ 3.5021 |
| 10+ | $3.4417 | $ 34.4170 |
| 30+ | $3.4009 | $ 102.0270 |
| 100+ | $3.3619 | $ 336.1900 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STP10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 427pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 15nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5021 | $ 3.5021 |
| 10+ | $3.4417 | $ 34.4170 |
| 30+ | $3.4009 | $ 102.0270 |
| 100+ | $3.3619 | $ 336.1900 |
