| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STL10N60M6 |
| EBEE 부품 번호 | E82970135 |
| 패키지 | VDFN-8-Power |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 5.5A 48W 550mΩ@10V,2.75A 3.25V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3375 | $ 2.3375 |
| 200+ | $0.9044 | $ 180.8800 |
| 500+ | $0.8734 | $ 436.7000 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STL10N60M6 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 5.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,2.75A | |
| 전력 손실(Pd) | 48W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 3.8pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 338pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 8.8nC |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3375 | $ 2.3375 |
| 200+ | $0.9044 | $ 180.8800 |
| 500+ | $0.8734 | $ 436.7000 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
