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STMicroelectronics STI33N60M6
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STI33N60M6 |
| EBEE 부품 번호 | E83288465 |
| 패키지 | I2PAK(TO-262) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 25A 125mΩ@10V,12.5A 190W 4V@250uA 1 N-channel I2PAK(TO-262) MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0528 | $ 4.0528 |
| 200+ | $1.5686 | $ 313.7200 |
| 500+ | $1.5136 | $ 756.8000 |
| 1000+ | $1.4871 | $ 1487.1000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STI33N60M6 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 25A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,12.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 190W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 4.2pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.515nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 33.4nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0528 | $ 4.0528 |
| 200+ | $1.5686 | $ 313.7200 |
| 500+ | $1.5136 | $ 756.8000 |
| 1000+ | $1.4871 | $ 1487.1000 |
