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STMicroelectronics STH30N65DM6-7AG


제조사
제조사 부품 번호
STH30N65DM6-7AG
EBEE 부품 번호
E83288433
패키지
H2PAK-7
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
650V 28A 115mΩ@10V,10A 223W 4.75V@250uA 1 N-channel H2PAK-7 MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$10.3444$ 10.3444
10+$9.9104$ 99.1040
30+$9.6454$ 289.3620
100+$9.4238$ 942.3800
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유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트ST STH30N65DM6-7AG
RoHS
유형N-Channel
RDS(켜짐)115mΩ@10V
작동 온도 --55℃~+150℃
역전송 용량(Crss@Vds)1.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation223W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4.75V
Current - Continuous Drain(Id)28A
Ciss-Input Capacitance2nF
Output Capacitance(Coss)130pF
Gate Charge(Qg)46nC@10V

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