| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STE53NC50 |
| EBEE 부품 번호 | E85762295 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 500V 53A 460W 80mΩ@10V,27A 3V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $93.0617 | $ 93.0617 |
| 200+ | $37.1330 | $ 7426.6000 |
| 500+ | $35.8918 | $ 17945.9000 |
| 1000+ | $35.2786 | $ 35278.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STE53NC50 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 53A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,27A | |
| 전력 손실(Pd) | 460W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 115pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 11.2nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 434nC@10V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $93.0617 | $ 93.0617 |
| 200+ | $37.1330 | $ 7426.6000 |
| 500+ | $35.8918 | $ 17945.9000 |
| 1000+ | $35.2786 | $ 35278.6000 |
