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STMicroelectronics STD8N80K5
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD8N80K5 |
| EBEE 부품 번호 | E8165934 |
| 패키지 | TO-252-2(DPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 6A 110W 950mΩ@10V,3A 5V@100uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6376 | $ 2.6376 |
| 10+ | $2.2952 | $ 22.9520 |
| 30+ | $2.0804 | $ 62.4120 |
| 100+ | $1.8602 | $ 186.0200 |
| 500+ | $1.7609 | $ 880.4500 |
| 1000+ | $1.7165 | $ 1716.5000 |
| 2500+ | $1.6969 | $ 4242.2500 |
| 5000+ | $1.6828 | $ 8414.0000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD8N80K5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 6A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 450pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 16.5nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6376 | $ 2.6376 |
| 10+ | $2.2952 | $ 22.9520 |
| 30+ | $2.0804 | $ 62.4120 |
| 100+ | $1.8602 | $ 186.0200 |
| 500+ | $1.7609 | $ 880.4500 |
| 1000+ | $1.7165 | $ 1716.5000 |
| 2500+ | $1.6969 | $ 4242.2500 |
| 5000+ | $1.6828 | $ 8414.0000 |
