| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD86N3LH5 |
| EBEE 부품 번호 | E8472529 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 80A 0.005Ω@10V,40A 70W 1.8V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6296 | $ 1.6296 |
| 10+ | $1.4040 | $ 14.0400 |
| 30+ | $1.2816 | $ 38.4480 |
| 100+ | $1.1431 | $ 114.3100 |
| 500+ | $1.0810 | $ 540.5000 |
| 1000+ | $1.0526 | $ 1052.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD86N3LH5 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+175℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 80A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.005Ω@10V,40A | |
| 전력 손실(Pd) | 70W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 58pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.85nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 14nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6296 | $ 1.6296 |
| 10+ | $1.4040 | $ 14.0400 |
| 30+ | $1.2816 | $ 38.4480 |
| 100+ | $1.1431 | $ 114.3100 |
| 500+ | $1.0810 | $ 540.5000 |
| 1000+ | $1.0526 | $ 1052.6000 |
