| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD80N6F6 |
| EBEE 부품 번호 | E85269559 |
| 패키지 | DPAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 60V 80A 4.4mΩ@10V,40A 120W 3V@250uA DPAK MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0899 | $ 3.0899 |
| 200+ | $1.1961 | $ 239.2200 |
| 500+ | $1.1547 | $ 577.3500 |
| 1000+ | $1.1331 | $ 1133.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD80N6F6 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 80A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4mΩ@10V,40A | |
| 전력 손실(Pd) | 120W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 400pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 8325pF@25V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0899 | $ 3.0899 |
| 200+ | $1.1961 | $ 239.2200 |
| 500+ | $1.1547 | $ 577.3500 |
| 1000+ | $1.1331 | $ 1133.1000 |
