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STMicroelectronics STD1NK60T4
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD1NK60T4 |
| EBEE 부품 번호 | E8361030 |
| 패키지 | DPAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 1A 30W 8.5Ω@10V,0.5A 3V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4756 | $ 1.4756 |
| 10+ | $1.2716 | $ 12.7160 |
| 30+ | $1.1614 | $ 34.8420 |
| 100+ | $1.0349 | $ 103.4900 |
| 500+ | $0.9789 | $ 489.4500 |
| 1000+ | $0.9537 | $ 953.7000 |
| 2500+ | $0.9428 | $ 2357.0000 |
| 5000+ | $0.9374 | $ 4687.0000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD1NK60T4 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 1A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5Ω@10V,0.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 30W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 3.8pF@25V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 156pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 7nC@480V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4756 | $ 1.4756 |
| 10+ | $1.2716 | $ 12.7160 |
| 30+ | $1.1614 | $ 34.8420 |
| 100+ | $1.0349 | $ 103.4900 |
| 500+ | $0.9789 | $ 489.4500 |
| 1000+ | $0.9537 | $ 953.7000 |
| 2500+ | $0.9428 | $ 2357.0000 |
| 5000+ | $0.9374 | $ 4687.0000 |
