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STMicroelectronics STD12N65M2
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD12N65M2 |
| EBEE 부품 번호 | E8500948 |
| 패키지 | DPAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 85W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD12N65M2 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 8A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| 전력 손실(Pd) | 85W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1.1pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 535pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 16.5nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
