Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
STMicroelectronics STD12N60DM2AG
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STD12N60DM2AG |
| EBEE 부품 번호 | E8495234 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STD12N60DM2AG | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 10A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 430mΩ@10V,5A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 3.7pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 614pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | - |
쇼핑 가이드
펼치기
재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1797 | $ 2.1797 |
| 10+ | $1.8869 | $ 18.8690 |
| 30+ | $1.7041 | $ 51.1230 |
| 100+ | $1.5159 | $ 151.5900 |
| 500+ | $1.4307 | $ 715.3500 |
| 1000+ | $1.3952 | $ 1395.2000 |
