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STMicroelectronics STB80N20M5
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB80N20M5 |
| EBEE 부품 번호 | E82971202 |
| 패키지 | D2PAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 61A 190W 23mΩ@10V,30.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2755 | $ 6.2755 |
| 10+ | $6.1287 | $ 61.2870 |
| 30+ | $6.0313 | $ 180.9390 |
| 100+ | $5.9340 | $ 593.4000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB80N20M5 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 20mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 108nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2755 | $ 6.2755 |
| 10+ | $6.1287 | $ 61.2870 |
| 30+ | $6.0313 | $ 180.9390 |
| 100+ | $5.9340 | $ 593.4000 |
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