Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
STMicroelectronics STB50N65DM6
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB50N65DM6 |
| EBEE 부품 번호 | E83277549 |
| 패키지 | D2PAK(TO-263) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 33A 250W 91mΩ@10V,16.5A 3.25V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1616 | $ 7.1616 |
| 200+ | $2.7717 | $ 554.3400 |
| 500+ | $2.6741 | $ 1337.0500 |
| 1000+ | $2.6261 | $ 2626.1000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB50N65DM6 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 33A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 91mΩ@10V,16.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 250W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 3pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.3nF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 52.5nC |
쇼핑 가이드
펼치기
재고 있음 : 문의하세요
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1616 | $ 7.1616 |
| 200+ | $2.7717 | $ 554.3400 |
| 500+ | $2.6741 | $ 1337.0500 |
| 1000+ | $2.6261 | $ 2626.1000 |
