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STMicroelectronics STB35N60DM2
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB35N60DM2 |
| EBEE 부품 번호 | E8472576 |
| 패키지 | D2PAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 28A 0.094Ω@10V,14A 210W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB35N60DM2 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 구성 | - | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 28A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.094Ω@10V,14A | |
| 전력 손실(Pd) | 210W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 2.8pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.4nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 54nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.1806 | $ 6.1806 |
| 10+ | $5.4954 | $ 54.9540 |
| 30+ | $5.0766 | $ 152.2980 |
| 100+ | $4.7251 | $ 472.5100 |
