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STMicroelectronics STB34NM60N
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB34NM60N |
| EBEE 부품 번호 | E87021959 |
| 패키지 | D2PAK(TO-263) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 29A 105mΩ@10V,14.5A 250W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1401 | $ 17.1401 |
| 200+ | $6.8396 | $ 1367.9200 |
| 500+ | $6.6115 | $ 3305.7500 |
| 1000+ | $6.4983 | $ 6498.3000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB34NM60N | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 29A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@10V,14.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 250W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 2.722nF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 84nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1401 | $ 17.1401 |
| 200+ | $6.8396 | $ 1367.9200 |
| 500+ | $6.6115 | $ 3305.7500 |
| 1000+ | $6.4983 | $ 6498.3000 |
