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STMicroelectronics STB30NF20
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB30NF20 |
| EBEE 부품 번호 | E8221448 |
| 패키지 | TO-263-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 200V 30A 75mΩ@10V,15A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB30NF20 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 30A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,15A | |
| 전력 손실(Pd) | 125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.597nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 38nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
