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STMicroelectronics STB30NF10T4
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB30NF10T4 |
| EBEE 부품 번호 | E8140377 |
| 패키지 | TO-263-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 100V 35A 45mΩ@10V,15A 115W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1307 | $ 1.1307 |
| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB30NF10T4 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 35A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,15A | |
| 전력 손실(Pd) | 115W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.18nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 55nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1307 | $ 1.1307 |
| 10+ | $0.9532 | $ 9.5320 |
| 30+ | $0.8645 | $ 25.9350 |
| 100+ | $0.7775 | $ 77.7500 |
| 500+ | $0.7243 | $ 362.1500 |
| 1000+ | $0.6976 | $ 697.6000 |
| 2000+ | $0.6906 | $ 1381.2000 |
| 4000+ | $0.6852 | $ 2740.8000 |
