| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB30N65DM6AG |
| EBEE 부품 번호 | E83288192 |
| 패키지 | D2PAK(TO-263) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 650V 28A 115mΩ@10V,10A 223W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7796 | $ 4.7796 |
| 10+ | $4.6619 | $ 46.6190 |
| 30+ | $4.5819 | $ 137.4570 |
| 100+ | $4.5020 | $ 450.2000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB30N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 115mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 223W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7796 | $ 4.7796 |
| 10+ | $4.6619 | $ 46.6190 |
| 30+ | $4.5819 | $ 137.4570 |
| 100+ | $4.5020 | $ 450.2000 |
