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STMicroelectronics STB30N65DM6AG


제조사
제조사 부품 번호
STB30N65DM6AG
EBEE 부품 번호
E83288192
패키지
D2PAK(TO-263)
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
650V 28A 115mΩ@10V,10A 223W 4.75V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS
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회사명
국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$4.7796$ 4.7796
10+$4.6619$ 46.6190
30+$4.5819$ 137.4570
100+$4.5020$ 450.2000
유형설명
전체 선택
카테고리Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
데이터시트ST STB30N65DM6AG
RoHS
유형N-Channel
RDS(켜짐)115mΩ@10V
작동 온도 --55℃~+150℃
역전송 용량(Crss@Vds)1.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation223W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4.75V
Current - Continuous Drain(Id)28A
Ciss-Input Capacitance2nF
Gate Charge(Qg)46nC@10V

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