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STMicroelectronics STB18N60M6
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB18N60M6 |
| EBEE 부품 번호 | E83288190 |
| 패키지 | D2PAK(TO-263) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 600V 13A 110W 230mΩ@10V,6.5A 3.25V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0601 | $ 2.0601 |
| 200+ | $0.7986 | $ 159.7200 |
| 500+ | $0.7702 | $ 385.1000 |
| 1000+ | $0.7560 | $ 756.0000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB18N60M6 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 13A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 230mΩ@10V,6.5A | |
| 전력 손실(Pd) | 110W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 2pF@100V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 650pF@100V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 16.8nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0601 | $ 2.0601 |
| 200+ | $0.7986 | $ 159.7200 |
| 500+ | $0.7702 | $ 385.1000 |
| 1000+ | $0.7560 | $ 756.0000 |
