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STMicroelectronics STB180N55F3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB180N55F3 |
| EBEE 부품 번호 | E86829553 |
| 패키지 | D2PAK |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 55V 120A 330W 3.5mΩ@10V,60A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6106 | $ 9.6106 |
| 200+ | $3.8351 | $ 767.0200 |
| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB180N55F3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 120A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,60A | |
| 전력 손실(Pd) | 330W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 6.8nF@15V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 100nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6106 | $ 9.6106 |
| 200+ | $3.8351 | $ 767.0200 |
| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
