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STMicroelectronics STB100N6F7
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | STB100N6F7 |
| EBEE 부품 번호 | E8165928 |
| 패키지 | TO-263-2 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 60V 100A 5.6mΩ@10V,50A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | ST STB100N6F7 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 100A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,50A | |
| 전력 손실(Pd) | 125W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 1.98nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 30nC@10V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1443 | $ 2.1443 |
| 10+ | $1.8851 | $ 18.8510 |
| 30+ | $1.7236 | $ 51.7080 |
| 100+ | $1.5568 | $ 155.6800 |
| 500+ | $1.4821 | $ 741.0500 |
| 1000+ | $1.4503 | $ 1450.3000 |
| 2000+ | $1.4343 | $ 2868.6000 |
| 4000+ | $1.4236 | $ 5694.4000 |
