| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SE30P50B |
| EBEE 부품 번호 | E8238706 |
| 패키지 | TO-252-2(DPAK) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 30V 50A 90W 7mΩ@10V,20A 2.2V@250uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2489 | $ 1.2445 |
| 50+ | $0.2188 | $ 10.9400 |
| 150+ | $0.2059 | $ 30.8850 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 3000+ | $0.1713 | $ 513.9000 |
| 6000+ | $0.1670 | $ 1002.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | SINO-IC SE30P50B | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 5.8mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 743pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.032nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 898pF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2489 | $ 1.2445 |
| 50+ | $0.2188 | $ 10.9400 |
| 150+ | $0.2059 | $ 30.8850 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 3000+ | $0.1713 | $ 513.9000 |
| 6000+ | $0.1670 | $ 1002.0000 |
