| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | TDNM3K50DWX |
| EBEE 부품 번호 | E85364048 |
| 패키지 | SOT-363 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 50V 500mV 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0780 | $ 0.3900 |
| 50+ | $0.0617 | $ 3.0850 |
| 150+ | $0.0535 | $ 8.0250 |
| 500+ | $0.0474 | $ 23.7000 |
| 3000+ | $0.0425 | $ 127.5000 |
| 6000+ | $0.0400 | $ 240.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Shenzhen JingYang TDNM3K50DWX | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 4Ω@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 13pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 33pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.7nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0780 | $ 0.3900 |
| 50+ | $0.0617 | $ 3.0850 |
| 150+ | $0.0535 | $ 8.0250 |
| 500+ | $0.0474 | $ 23.7000 |
| 3000+ | $0.0425 | $ 127.5000 |
| 6000+ | $0.0400 | $ 240.0000 |
