| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | 6888K |
| EBEE 부품 번호 | E8841306 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 68V 80A 7.9mΩ@10V,30A 108W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1966 | $ 0.9830 |
| 50+ | $0.1743 | $ 8.7150 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1528 | $ 76.4000 |
| 2500+ | $0.1298 | $ 324.5000 |
| 5000+ | $0.1266 | $ 633.0000 |
| 10000+ | $0.1250 | $ 1250.0000 |
| 20000+ | $0.1239 | $ 2478.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Shenzhen Fuman Elec 6888K | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 7.9mΩ@10V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 312pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 108W | |
| Drain to Source Voltage | 68V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.988nF | |
| Gate Charge(Qg) | 78nC@10V |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1966 | $ 0.9830 |
| 50+ | $0.1743 | $ 8.7150 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1528 | $ 76.4000 |
| 2500+ | $0.1298 | $ 324.5000 |
| 5000+ | $0.1266 | $ 633.0000 |
| 10000+ | $0.1250 | $ 1250.0000 |
| 20000+ | $0.1239 | $ 2478.0000 |
