| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | 2301P |
| EBEE 부품 번호 | E82834502 |
| 패키지 | SOT-23-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 2.8A 190mΩ@2.5V,0.5A 840mW 400mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0087 | $ 0.4350 |
| 500+ | $0.0067 | $ 3.3500 |
| 3000+ | $0.0056 | $ 16.8000 |
| 6000+ | $0.0050 | $ 30.0000 |
| 24000+ | $0.0044 | $ 105.6000 |
| 51000+ | $0.0041 | $ 209.1000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Shenzhen Fuman Elec 2301P | |
| RoHS | ||
| 유형 | P-Channel | |
| RDS(켜짐) | 190mΩ@2.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 42pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 840mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 332pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.5nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0087 | $ 0.4350 |
| 500+ | $0.0067 | $ 3.3500 |
| 3000+ | $0.0056 | $ 16.8000 |
| 6000+ | $0.0050 | $ 30.0000 |
| 24000+ | $0.0044 | $ 105.6000 |
| 51000+ | $0.0041 | $ 209.1000 |
