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Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1


제조사
제조사 부품 번호
PNMT8N1
EBEE 부품 번호
E8110718
패키지
DFN-10-EP(2x3)
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
20V 300mA 150mW 500mΩ@4V,300mA 1.1V@1mA 1 N-channel DFN-10-EP(2x3) MOSFETs ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
5+$0.0869$ 0.4345
50+$0.0710$ 3.5500
150+$0.0630$ 9.4500
500+$0.0569$ 28.4500
3000+$0.0522$ 156.6000
6000+$0.0498$ 298.8000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET
데이터시트Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1
RoHS
유형1 N-channel
드레인 소스 전압(Vdss)20V
연속 드레인 전류(Id)300mA
저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id)500mΩ@4V,300mA
전력 손실(Pd)150mW
게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id)1.1V@1mA

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