| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | PNMT8N1 |
| EBEE 부품 번호 | E8110718 |
| 패키지 | DFN-10-EP(2x3) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 300mA 150mW 500mΩ@4V,300mA 1.1V@1mA 1 N-channel DFN-10-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0869 | $ 0.4345 |
| 50+ | $0.0710 | $ 3.5500 |
| 150+ | $0.0630 | $ 9.4500 |
| 500+ | $0.0569 | $ 28.4500 |
| 3000+ | $0.0522 | $ 156.6000 |
| 6000+ | $0.0498 | $ 298.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1 | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 300mA | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@4V,300mA | |
| 전력 손실(Pd) | 150mW | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.1V@1mA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0869 | $ 0.4345 |
| 50+ | $0.0710 | $ 3.5500 |
| 150+ | $0.0630 | $ 9.4500 |
| 500+ | $0.0569 | $ 28.4500 |
| 3000+ | $0.0522 | $ 156.6000 |
| 6000+ | $0.0498 | $ 298.8000 |
