| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | PNMT6N1B |
| EBEE 부품 번호 | E8110717 |
| 패키지 | DFN-6L(2.1x2.1) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 40V 3A 4Ω@4.5V,200mA 1.2W 1.5V@250uA 1 N-channel DFN-6L(2.1x2.1) MOSFETs ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0992 | $ 0.4960 |
| 50+ | $0.0810 | $ 4.0500 |
| 150+ | $0.0719 | $ 10.7850 |
| 500+ | $0.0650 | $ 32.5000 |
| 3000+ | $0.0595 | $ 178.5000 |
| 6000+ | $0.0568 | $ 340.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Shanghai Prisemi Elec PNMT6N1B | |
| RoHS | ||
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 3A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω@4.5V,200mA | |
| 전력 손실(Pd) | 1.2W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0992 | $ 0.4960 |
| 50+ | $0.0810 | $ 4.0500 |
| 150+ | $0.0719 | $ 10.7850 |
| 500+ | $0.0650 | $ 32.5000 |
| 3000+ | $0.0595 | $ 178.5000 |
| 6000+ | $0.0568 | $ 340.8000 |
